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自我充电 (Self-Refresh)：DRAM内部具有独立且内建的充电电路于一定时间内做自我充电， 通常用在笔记型计算机或可携式计算机等的省电需求高的计算机。
预充电时间 (CAS Latency)：通常简称CL。例如CL=3，表示计算机系统自主存储器读取第一笔资料时，所需的准备时间为3个外部时脉 (System clock)。CL2与CL3的差异仅在第一次读取资料所需准备时间，相差一个时脉，对整个系统的效能并无显著影响。
时钟信号 (Clock)：时钟信号是提供给同步内存做讯号同步之用，同步记忆体的存取动作必需与时钟信号同步。
电子工程设计发展联合会议 (JEDEC)：JEDEC大部分是由从事设计、发明的制造业尤以有关计算机记忆模块所组成的一个团体财团，一般工业所生产的记忆体产品大多以JEDEC所制定的标准为评量。
只读存储器ROM (Read Only Memory)：ROM是一种只能读取而不能写入资料之记燱体，因为这个特所以最常见的就是主机板上的 BIOS (基本输入/输出系统Basic Input/Output System)因为BISO是计算机开机必备的基本硬件设定用来与外围做为低阶通信接口，所以BISO之程式烧录于ROM中以避免随意被清除资料。
EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM)：为一种将资料写入后即使在电源关闭的情况下，也可以保留一段相当长的时间，且写入资料时不需要另外提高电压，只要写入某一些句柄，就可以把资料写入内存中了。
EPROM (Erasable Programmable ROM)：为一种可以透过紫外线的照射将其内部的资料清除掉之后，再用烧录器之类的设备将资料烧录进 EPROM内，优点为可以重复的烧录资料。
程序规画的只读存储器 (PROM)：是一种可存程序的内存，因为只能写一次资料，所以它一旦被写入资料若有错误，是无法改变的且无法再存其它资料，所以只要写错资料这颗内存就无法回收重新使用。
MASK ROM：是制造商为了要大量生产，事先制作一颗有原始数据的ROM或EPROM当作样本，然后再大量生产与样本一样的 ROM，这一种做为大量生产的ROM样本就是MASK ROM，而烧录在MASK ROM中的资料永远无法做修改。
随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM记忆体时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。
动态随机存取内存 DRAM (Dynamic Random Access Memory)：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然
资料会不见。
FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)：是改良的DRAM，大多数为72IPN或30PIN的模块，FPM 将记忆体内部隔成许多页数Pages，从512 bite 到数 Kilobytes 不等，它特色是不需等到重新读取时，就可读取各page内的资料。
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